高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器及退化  

作　　者：张素梅[1] 石家纬[1] 齐丽云[1] 胡贵军[1] 李红岩[1] 李永军[1] 刘建军[1] 张锋刚 

机构地区：[1]吉林大学电子工程系集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区,长春130023

出　　处：《飞通光电子技术》2001年第1期7-10,39,共5页

摘　　要：通过对研制的50余只808nm的GaAs/GaAlAs大功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,通过大于1000h的恒流电老化,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后表现出按指数规律缓慢下降的行为。实验结果表明器件具有长寿命的潜力。

关 键 词：石家铝砷化合物 单量子阱 远结半导体激光器 老化 砷化镓 退化 

分 类 号：TN248.5[电子电信—物理电子学]