2～6GHz单片功率放大器  

2～6 GHz MMIC Power Amplifier

作　　者：朱轩昂[1] 林金庭[1] 陈效建[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2001年第2期119-125,共7页Research & Progress of SSE

摘　　要：报道了有耗匹配宽带单片功率放大器的研究方法和结果。该两级单片功放电路采用自建的 Root非线性模型进行了谐波平衡分析。在 2 .0～ 6.7GHz频带上线性增益为 17d B,平坦度为± 0 .75d B,输入和输出驻波分别小于 2。全频带上 ,饱和输出功率为 1～ 1.4 W,功率附加效率大于2 0 %。该宽带单片功率放大器在 76mm Ga As单片 MMIC工艺线上用全离子注入、0 .5μm栅长工艺研制完成 ,电路芯片面积为 0 .1mm× 2 .6mm× 2 .7mm。Design approach and performance of 0.5 μm fully ion-implant broadband MMIC power amplifier is reported. The lossy-match MMIC amplifier is designed and optimized with nonlinear Root mode. The amplifier has better than 3:1 bandwidth, 1 to 1.4 watt CW output power, and greater than 20 percent power-added efficiency (PAE) across the 2-6.7 GHz frequency band. The linear gain is 17 dB with a flatness of ±0.75 dB. Input/output VSWRs are better than 2:1. The chip size is 0.1 mm × 2.6 mm × 2.7 mm.

关 键 词：微波单片集成电路 有耗匹配 宽带功率放大器 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]