共振隧穿二极管电流密度-电压曲线的计算与分析  

The Calculation and Analysis for the Current Density Voltage Curve of Resonance Tunneling Diode

作　　者：梁擎擎[1] 阮刚[1] 

机构地区：[1]复旦大学电子工程系

出　　处：《固体电子学研究与进展》2001年第2期146-150,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：用紧束缚能带方法计算双势垒结构 Ga As/ Ga1-x Alx As/ Ga As和 In As/ Ga Sb/ Al Sb的电子、空穴电流密度 ,对计算结果进行分析 。The current density of electrons and holes for the double barrier structure of GaAs/Ga 1- x Al x As/GaAs and InAs/GaSb/AlSb is calculated based on tight band methods,the results are analysed,and their application is discussed.

关 键 词：双势垒结构 共振隧穿二极管 电流密度 电压曲线 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]