紫外写入SiO2平面光波导制作新方法研究（三）：光波导制作  

作　　者：葛璜[1] 孙明武[2] 等 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所，北京100083 [2]中国建筑材料科学研究院玻璃所，北京100024

出　　处：《光子学报》2000年第Z01期399-403,共5页Acta Photonica Sinica

摘　　要：本文报导用紫外写入法制备SiO2平面光波导的理论基础，工艺过程和实验结果。介绍了含光敏层的多层SiO2平面光波导的材料和掩膜的制备方法，紫外写入的设备与工艺，用这种新方法制备出性能良好的直波导和Y分叉光波导。

关 键 词：平面光波导 紫外写入法 光折变效应 二氧化硅 膜材料 掩模 

分 类 号：TN252[电子电信—物理电子学]