Zn_(0.04)Cd_(0.96)Te中深能级的红外光电导谱研究  

INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF DEEP LEVELS IN Zn_(0.04) Cd_(0.96) Te

作　　者：袁先漳[1] 裴慧元[1] 陆卫[1] 李宁[1] 史国良[1] 方家熊[1] 沈学础[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《物理学报》2001年第4期775-778,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究专项基金 !(批准号 :G19980 614 0 4);国家自然科学基金 !(批准号 :10 0 740 68)资助的课题&&

摘　　要：应用红外光电导谱研究半绝缘 p型Zn0 .0 4 Cd0 .96Te中的深能级 ,在温度从 4.2到 16 5K范围内 ,观察到了位于0 .2 4,0 .34 ,0 .38,0 .47,0 .5 5和 0 .80eV处 6个光电导响应峰 .结合 4.2K下光致发光谱的测量结果以及对ZnxCd1-xTe中深能级发光光谱、深能级瞬态谱等已有的研究结果 。The infrared photoconductivity spectroscopy has been employed to investigate the deep levels in semi-insulating p-type Zn0.04Cd0.96Te. At the temperature ranging between 4.2 and 165K, photoconductivity peaks at 0.24,0.34,0.38, 0.47,0.55 and 0.80eV are observed. In conjunction with the photoluminescence measurement of the sample at 4.2K, the characteristics of the deep levels related to the photoconductivity peaks are discussed.

关 键 词：光电导 深能级 碲锌镉 

分 类 号：TN21[电子电信—物理电子学]