总剂量辐射效应中的辐射源及剂量测量  

Radiation Sources and Dosimetry in the Test of Total Dose Effects

作　　者：王桂珍[1] 姜景和[1] 张正选[1] 龚建成[1] 

机构地区：[1]西北核技术研究所,陕西西安710024

出　　处：《微电子学》2001年第3期168-172,共5页Microelectronics

摘　　要：介绍了电子元器件与电路总剂量辐射效应中可能遇到的各种辐射源及吸收剂量测量问题。辐射环境包括空间辐射环境、核爆炸辐射环境及总剂量加固实验中用到的模拟辐射源 ,给出了一些基本的参数 ,为进行不同辐射源总剂量效应异同性研究及用地面模拟试验结果预估器件的工作寿命奠定基础 ,探讨了总剂量效应测试中的剂量学问题及各种辐射环境的剂量测量方法 。WT5”BZ]Radiation sources to which a device may be exposed in the test of total dose effects and the methods to determine the ionizing radiation dose are dealt with in the paper The space radiation environment, the nuclear weapon environment and the radiation sources used in the hardness testing are discussed, respectively Radiation dosimetry pertaining to total dose effects, especially thermoluminescence dosimetry(TLD), is investigated [WT5HZ]

关 键 词：辐射剂量学 辐射加固 总剂量效应 热释光剂量仪 剂量增强效应 

分 类 号：R144.1[医药卫生—公共卫生与预防医学] TN07[电子电信—物理电子学]