MSM光电探测器  

MSM PHOTODETECTOR

作　　者：史常忻[1] 朱红卫[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微电子技术研究所,上海200030

出　　处：《中国科学基金》1997年第2期139-141,共3页Bulletin of National Natural Science Foundation of China

摘　　要：1 引言 平面型的金属-半导体-金属(MSM)结构器件最早由美国的S.M.Sze等人于1971年首先提出概念,并研制成硅上的MSM结构器件。测试结果表明其特性不同于单个肖特基结器件。1985年,德国亚琛工业大学半导体电子学研究所的W.Roth等人率先将其应用于光电探测器(PD),研制成第一个GaAs MSM-PD。该结构解决了以前垂直结构的光电器件与平面结构的电子器件集成工艺方面的困难,具有制作工艺简单。

关 键 词：光电探测器 肖特基势垒 金属-半导体-金属结构器件 暗电流 电压特性 材料生长 

分 类 号：TL814[核科学技术—核技术及应用]