VB环境下对双端口RAM物理读写的实现  

作　　者：孙成秀 陶振权 张宪震 

机构地区：[1]营口电子研究设计院,115000

出　　处：《电子技术应用》2001年第3期8-11,共4页Application of Electronic Technique

摘　　要：介绍应用双端口RAM芯片设计的智能型高速并行通讯卡。针对VB语言环境下，用DLL函数链接方式，对采用内存直接映象技术的双端口RAM进行读写，实现主、分机之间数据高速并行传输。本技术已经成功应用在汽车综合检测系统中，对在其它集散型控制系统中进行高速数据传输同样有益。

关 键 词：双端口RAM 程序设计 动态链库 VB 

分 类 号：TP311[自动化与计算机技术—计算机软件与理论]