SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱  

Optical Phonon Raman Spectroscopy in SiC Nanorods

作　　者：阎研[1] 黄福敏[1] 张树霖[1] 朱邦芬[2] 尚尔轶 范守善[3] 

机构地区：[1]北京大学物理系喇曼光谱实验室,北京100871 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083 [3]清华大学物理系,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第6期726-728,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金!资助项目 (批准号 :10 47740 0 13 )

摘　　要：报道了用光谱的手段研究 Si C纳米棒 (NR)的结果 .对于在实验中观察到 L O模的大幅度红移及新出现的喇曼峰 ,认为在类似 Si C NR的存在大量缺陷的极性纳米材料中 ,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制效应更为重要 .理论计算证实了这一点 。Experimental observation and numerical calculation indicate that the structure defect effect (SDE) is more important than the quantum confinement effect (QCE) in the Raman features of optical phonons for polar semiconductor quantum wires with abundant structure defects,such as SiC nanorods.The Fr[KG-8]o[DD(-1]¨hlich enhanced phonon density of the states is responsible for the Raman spectra of the optical modes of SiC NR.[KH8/9D]

关 键 词：纳米材料 喇曼光谱 相互作用 纳米棒 碳化硅 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]