Characterization of Sub-100nm MOSFETs with High K Gate Dielectric  

亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性(英文)

作　　者：朱晖文[1] 刘晓彦 沈超 康晋锋[1] 韩汝琦[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第9期1107-1111,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究专项经费资助项目~~

摘　　要：The short-channel performance of typical 70nm MOSFETs with high K gate dielectric is widely studied by using a two dimensional(2-D) device simulator.The short-channel performance is degraded from the fringing field and lower the source/drain junction resistance.The sidewall material is found very useful to eliminate the fringing-induced berrier lowing effect.用二维模拟软件 ISE研究了典型的 70 nm高 K介质 MOSFETs的短沟性能 .结果表明 ,由于 FIBL 效应 ,随着栅介质介电常数的增大 ,阈值电区减小 ,而漏电流和亚阈值摆幅增大 ,导致器件短沟性能退化 .

关 键 词：high K materials gate dielectrics MOSFET 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]