富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性  

Vapor Growth and Electrical Properties of CdSe Crystals with Excess Cd

作　　者：金应荣[1] 朱世富[1] 赵北君[1] 邵双运[1] 李奇峰[1] 王雪敏[1] 于丰亮[1] 宋芳[1] 

机构地区：[1]四川大学材料科学系,成都610064

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第9期1139-1142,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：教育部重点科技项目;高等学校骨干教师资助项目~~

摘　　要：用改进的垂直气相法生长的富镉 Cd Se单晶 ,其电阻率为 10 7Ω· cm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,且能将注入其中的部分电荷储存起来。分析认为 ,晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是由 Se空位引起的 .CdSe single crystals with excess Cd are grown by using the modified vertical unseeded vapor growth method,with the medium resistivity(106-107Ω·cm) obtained.I-V curves of the as-grown crystals are measured and analyzed according to the space charge limited current theory.The electron trap density of 108 cm -3 and the reserved charge in as-grown crystals are found and attributed to the presence of Se vacancies.

关 键 词：气相生长 CdSe单晶 电子陷阱 电学特性 

分 类 号：TN304.25[电子电信—物理电子学]