Cd1-xZnxTe合金的退火研究  

Study on the Annealing of Cd_(1-x) Zn_x Te Alloys

作　　者：魏彦锋[1] 方维政[1] 刘从峰[1] 杨建荣[1] 何力[1] 王福建[2] 王兴军[2] 黄大鸣[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083 [2]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第8期992-995,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6942 5 0 0 2 )

摘　　要：用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对 Cd1 - x Znx Te晶片中 Te沉淀的影响 .研究结果表明 ,红外透射谱只对大尺寸的 Te沉淀较为敏感 ,而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的 Te沉淀 ,两者互为补充 .在 Cd气氛下对晶片进行退火处理 ,选择合适的退火温度和退火时间 ,可以有效地消除晶片中大尺寸的 Te沉淀 ,却难以消除晶片中小尺寸的微量The effect o f Cd-annealing on Cd 1-x Zn x Te alloys is studied by using IR transmission and micro-Raman spectroscopy.It shows that the IR transmittance is sensitive to the large size Te precipitates,while the Raman scattering can dete ct the small size Te precipitates.Via Cd-annealing,the large size Te precipita tes can significantly reduced under appropriate conditions,but it is quite diffi cult to eliminate the small size Te precipitates in the wafers.

关 键 词：CDZNTE 红外透射谱 喇曼散射 退火 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]