MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I-V特性的影响  

INFLUENCE OF MS INTERFACE TRANSPORT ON THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC OF MCT PV DEVICE

作　　者：胡晓宁[1] 李言谨[1] 方家熊[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所

出　　处：《红外与毫米波学报》2001年第3期165-168,共4页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家自然科学基金 (编号 1980 5 0 14 );苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室开放课题部分资助项目&&

摘　　要：根据金属 -碲镉汞接触的基本电流 -电压关系 ,深入讨论了金属 -半导体 (MS)接触界面输运特性对碲镉汞光伏器件 I- V特性的影响 ,并对实际器件的测量数据进行了分析比较 .The influence of MS transport on the current-voltage characteristic of MCT PV device was investigated based on the current-voltage characteristics of MCT Schottkey barrier. The data of some devices were also discussed.

关 键 词：I-V特性 金属-碲镉汞接触 碲镉汞光伏器件 红外焦平面器件 界面 输运特性 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]