增强混成式焦平面器件互连芯片可靠性的几点措施  

作　　者：张国栋[1] 王海珍[1] 龚启兵[1] 宋红东[1] 

机构地区：[1]中国空空导弹研究院,洛阳471009

出　　处：《航空兵器》2001年第3期13-14,共2页Aero Weaponry

摘　　要：主要讨论了互连及后继工序对互连芯片的要求,以及提高五连芯片可靠性的几点措施,如重熔原理与方法、互连参数选择、聚胺树脂填充等。文中所采用的红外器件为InSb面阵芯片,CMOS读出电路制作在Si材料上。

关 键 词：焦平面阵列 可靠性 红外探测器 互连芯片 混成式焦平面器件 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]