龚启兵

作品数：8被引量：31H指数：3
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发文主题：INSB焦平面阵列红外探测器凝视红外焦平面更多>>
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积分时间和工作电压对焦平面探测器性能的影响被引量：3
《航空兵器》2006年第2期35-37,共3页王巍 龚启兵 林磊 傅跃农 郭强 
测试了采用某CTIA型读出电路的128元InSb焦平面探测器在不同积分时间和工作电压情况下的特性,分析了实验中遇到的一些现象,得到了使焦平面探测器综合性能较高的积分时间和工作电压的取值区间,为设计CTIA型读出电路提供了参考依据。
关键词：CTIA 读出电路 焦平面阵列 INSB 
混成式焦平面阵列芯片倒装互连技术研究被引量：3
《红外技术》2006年第3期125-128,共4页张国栋 龚启兵 苏宏毅 王海珍 郑克霖 
介绍了为保证倒装焊接性能，设备所采取的措施。对比了不同形貌铟柱的优缺点，分析了互连可靠性与铟柱高度的关系，介绍了考核互连可靠性的方法。通过互连技术研究，我们实现了较高性能的倒装互连，互连条件选择温度在60℃-140℃范围，...
关键词：焦平面阵列 倒装互连 可靠性 
非致冷探测器阵列的读出方式
《航空兵器》2003年第1期29-31,共3页王巍 龚启兵 
介绍了热辐射计型非致冷探测器阵列的几种读出方式,对它们的工作原理及特点进行了分析,为非致冷探测器阵列,以及光导焦平面探测器阵列的研制提供参考。
关键词：非致冷探测器 焦平面阵列 硅处理器 读出电路 信号处理 
面阵焦平面阵列积分方式的研究
《航空兵器》2002年第4期47-48,共2页王巍 龚启兵 
研究了面阵焦平面阵列的两种积分工作方式:先积分后读出方式和边积分边读出方式。对两种积分方式及其优缺点进行了分析与比较,给出了焦平面阵列在两种积分方式下的性能测试,为面阵焦平面阵列两种积分方式的应用提供了重要的参考依据。
关键词：红外焦平面阵列 INSB 硅处理器 电流积分 焦面探测器 
InSb凝视红外焦平面组件研制和应用被引量：19
《红外与激光工程》2002年第5期419-423,共5页陈伯良 孙维国 梁平治 郑志伟 王正官 朱晓池 江美玲 龚启兵 丁瑞军 黄水安 
国家"八六三"计划资助项目 (863 30 8 1 6 0 1 4 )
研制成功了采用光伏InSb二极管列阵工艺、直接注入Si CMOS读出电路、微型玻璃杜瓦和微型节流制冷机的 6 4× 6 4元InSb红外焦平面组件。焦平面组件平均探测率约 1× 10 11cmHz1 2 W-1,平均量子效率约 72 %,响应率非均匀性约 18%,无效像...
关键词：INSB 焦平面列阵 铟锑合金 红外探测 信号读出 
混成式焦面器件中InSb背面减反/钝化膜研制被引量：4
《航空兵器》2001年第5期13-15,共3页张国栋 龚启兵 
InSb凝视焦平面器件(FPA)制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需在表面沉积减反/钝化膜,增大InSb芯片对红外光的吸收,同时减少载流子的表面复合。本文介绍了采用等离子化学气相沉积(PECVD)方法在几种不同沉积条件下生长的SiO_x,测量其光谱...
关键词：FPA PECVD SIOX 表面复合 InSb芯片 减反/钝化膜 等离子化学气相沉积 红外探测器 混成式焦面器件 
增强混成式焦平面器件互连芯片可靠性的几点措施被引量：2
《航空兵器》2001年第3期13-14,共2页张国栋 王海珍 龚启兵 宋红东 
主要讨论了互连及后继工序对互连芯片的要求,以及提高五连芯片可靠性的几点措施,如重熔原理与方法、互连参数选择、聚胺树脂填充等。文中所采用的红外器件为InSb面阵芯片,CMOS读出电路制作在Si材料上。
关键词：焦平面阵列 可靠性 红外探测器 互连芯片 混成式焦平面器件 
64×64元InSb凝视红外焦平面探测器研制被引量：1
《航空兵器》2001年第2期10-15,共6页龚启兵 王海珍 王巍 张国栋 吴伟 
阐述了InSb凝视红外焦平面器件的结构形成、参数设计以及信号噪声的分析,研究了制造中的技术难点及解决途径,给出了所研制的64×64元InSb凝视红外焦平面探测器的测试结果并进行了分析。
关键词：InSb凝视焦平面 结构形式 参数设计 关键技术 武器 红外探测器 
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