梁平治

作品数：35被引量：160H指数：7
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供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
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发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
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基于热电堆结构的微型热传导真空传感器被引量：2
《真空科学与技术学报》2009年第2期218-223,共6页马斌 梁平治 陈世军 程正喜 
本文描述了一种与CMOS工艺完全兼容的热电堆微型热传导真空传感器。该传感器可在商业化的标准CMOS生产流水线上进行流片,配合后续的无掩模体硅各向异性腐蚀工艺,即可完成全部制造程序。器件敏感部分为124μm×100μm的多层复合薄膜架空...
关键词：热传导真空传感器 热电堆 塞贝克效应 微机电系统 四甲基氢氧化铵 有限元分析 
硅全耗尽背照式光电二极管的光谱响应
《红外与激光工程》2009年第1期87-90,共4页董金珠 梁平治 江美玲 
建立了一个预测硅全耗尽背照式光电二极管响应率的解析模型。分析了所加反偏压与光谱响应之间的关系,解出了硅全耗尽背照式光电二极管的响应率和器件各参数之间的关系,并根据选定参数值计算出了给定外加偏压下400～1100nm范围的光谱响...
关键词：光谱响应 全耗尽 背照式 模型 
硅基热电堆真空传感器的耦合场分析
《纳米技术与精密工程》2008年第5期336-342,共7页马斌 梁平治 陈世军 程正喜 
利用商业化的1．2μm标准CMOS生产流水线，配合无掩模体硅各向异性腐蚀工艺，制造了一种热电堆型真空传感器，器件敏感部分尺寸为124um×100μm，由5层薄膜组成，最大厚度为3．2μm．采用一种简化方式对传感器建立有限元模型．新模型一...
关键词：真空传感器 热电堆 有限元分析 ANSYS 
硅全耗尽背照式光电二极管列阵的研制
《科学技术与工程》2008年第15期4326-4328,4334,共4页董金珠 梁平治 江美玲 
在高电阻率的N型硅衬底上制作出全耗尽背照式的光电二极管。电阻率约为15000Ω.cm的硅衬底可以得到几百微米深的耗尽区,而通过在光电二极管的正背面施加一定的偏压就可以使其工作在全耗尽背照式的模式下。背面的浅结可以得到比较好的短...
关键词：全耗尽 背照式 光电二极管列阵 
硅基热电堆真空传感器的制造技术被引量：1
《微细加工技术》2008年第2期23-27,32,共6页马斌 梁平治 陈世军 程正喜 
发展了一种与CMOS工艺完全兼容并可在商业化的1.2μm标准CMOS生产流水线上进行流片的硅基热电堆真空传感器的制造技术与流程。传感器为悬浮的多层复合薄膜结构,其上制作了n型多晶硅加热器和20对由p型多晶硅条和铝条构成的热电堆。利用...
关键词：真空传感器 热电堆 四甲基氢氧化铵 各向异性腐蚀 
光敏面积对小光斑法测量光谱响应率的影响被引量：2
《红外与激光工程》2007年第2期219-221,共3页杨叶飞 董金珠 张学敏 梁平治 
通过对光电二极管结构和工作原理及光谱响应特性的分析,探讨了在相同工艺条件下,硅光电探测器的小光斑法测试过程中,不同大小光敏面得到不同光谱响应曲线问题。参考一维分析,建立了简化的二维分析方法,并做出定性的分析以及定量的计算,...
关键词：光谱响应 小光斑法 硅光电探测 横向扩散 光敏面 测试 
硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能研究被引量：3
《激光技术》2007年第1期83-85,共3页张建新 陈永平 梁平治 
为了研究硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能,采取了0.8M eV电子在4个辐照剂量(1013cm-2~1014cm-2)分别辐照3种不同厚度二氧化硅钝化的光电二极管的方法,比较了光电二极管光电流变化率和暗电流变化率,得到了3种钝化厚度的光电二极管的性能...
关键词：光电子学 钝化膜 电子辐照 抗辐射 
电阻阵动态红外景象投射器单元电路研究被引量：7
《科学技术与工程》2006年第14期2116-2118,共3页肖云鹏 马斌 梁平治 
研究了电阻阵动态红外景象投射器的单元驱动电路特性,特别对辐射体的部分电学和热学特性进行了定量的测量和计算;同时采用热点耦合的方法分析了两种比较典型的单元驱动结构,并对结果进行了实际验证。
关键词：电阻阵 动态红外景象 热导 单元电路 
国产电阻阵列动态红外景像投射器研制进展被引量：22
《红外技术》2006年第5期266-270,共5页肖云鹏 马斌 梁平治 
国防科工委"十五"863科技攻关项目
介绍了上海技术物理研究所研制的128×128动态红外景像投射器的研制结果,特别对其主要参数,如温度和光谱特性,帧频,非均匀性以及串音作了深入的介绍,并阐明了电阻阵列动态红外景像投射器的发展方向。
关键词：动态红外景像投射器 温度 帧频 非均匀性 串音 
PN型硅光电二级管模型及参数优化被引量：3
《科学技术与工程》2006年第12期1686-1689,1705,共5页杨叶飞 梁平治 
建立了硅光二极管(PN型)的SPICE中的宏模型,主要分析了光电流产生模型及各主要参数影响,并定义了这些参数的提取和优化,完成了整个参数化的硅光电二极管电路模型,可以直接用于SPICE的电路模拟仿真中。
关键词：光电二极管 SPICE 模型 参数 
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