磁场下MgB_2的电导涨落效应  

THE EFFECT OF FLUCTUATION MAGNETOCONDUCTANCE IN MgB_2

作　　者：李慧玲[1] 阮可青[1] 李世燕[1] 莫维勤[1] 樊荣[1] 罗习刚[1] 陈仙辉[1] 曹烈兆[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学结构分析开放实验室,物理系,合肥230026

出　　处：《低温物理学报》2001年第4期269-274,共6页Low Temperature Physical Letters

基　　金：国家重点基础研究专项经费 (NKBRSF G19990 6 46 )资助项目

摘　　要：测量了磁场下MgB2 的电阻与温度的依赖关系 .测量结果表明 :磁场下MgB2 的临界涨落电导Δσ(H)符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程 .MgB2 中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构 .由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维 ,可推知MgB2 中存在较强的层间耦合 .The temperature and magnetic field dependences of electrical resistivity in MgB 2 have been investigated. The results indicate that the excess magnetoconductance is consist with three dimensional scaling function for critical fluctuation proposed by Ullah and Dorsey. The obvious critical fluctuation in MgB 2 originates from much higher T c and layer crystal structure. From the three dimensional scaling behavior of magnetoconductance, we can infer the existence of stronger layer coupling in MgB 2.

关 键 词：磁场 MGB2 硼化镁 电导 涨落效应 层间耦合 超导体 高温 

分 类 号：O511[理学—低温物理]