倾斜脊形波导集成超辐射光源  

Integrated Superluminescent Light Source with Tilted Structure by Using Ridge Waveguide

作　　者：刘杨[1] 宋俊峰[1] 曾毓萍 吴宾 张源涛[1] 杜国同[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室,长春130023

出　　处：《中国激光》2001年第9期786-788,共3页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家"8 63"高技术计划基金;国家自然科学基金( 60 0 770 2 1);教育部博士点基金; 973重大基础研究项目(G2 0 0 0 0 3 660 5 )资助

摘　　要：在研究倾斜氧化物锥条形集成超辐射光源的基础上 ,增加了脊形波导结构 ,制得了新型的 1 5 μm倾斜结构的InGaAsP/InP集成超辐射光源。发现该倾斜结构脊形波导器件具有较好的抑制激射能力。在可测试范围内 ,在没有蒸镀腔面抗反射膜的情况下 ,未见激射模式的出现 ,大大地提高了超辐射功率的输出。最大峰值功率已达到110mW。In this paper, a new type of 1.5 μm InGaAsP integrated device was fabricated by using the ridge waveguide. The lasing was suppressed successfully without any AR (Anti-Reflection) coating on the output facet. No lasing mode was discovered in the range of measurement. Thus, the superluminescent power was improved significantly. Maximum power 110 mW was obtained.

关 键 词：超辐射发光管 半导体光放大器 光谱分割 脊形波导 

分 类 号：TN245[电子电信—物理电子学]