SITH耐压容量的控制和调节  

Control and Adjustment for Voltage Capacity of SITH

作　　者：姚琢[1] 薛伟东[2] 刘肃[2] 

机构地区：[1]青海师范高等专科学校电子工程系,青海西宁810007 [2]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000

出　　处：《兰州大学学报（自然科学版）》2001年第5期42-47,共6页Journal of Lanzhou University(Natural Sciences)

基　　金：甘肃省自然科学基金 (ZS0 0 1- A2 5 - 0 4 4 - C)资助项目

摘　　要：分析了 SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响 ,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅 -阴极击穿电压的影响 ,讨论了如何进行正向阻断电压和栅It is discussed that the forward blacking voltage is affected by resistivity, N base region thickness, channel thickness and terminal structure of SITH structure doping region. The gate cathode breakdown voltage is influenced by lateral diffusion, channel size, epitaxial layer and related elements of SITH structure. How to control and adjust the forward blocking voltage and the gate cathode breakdown voltage has been discussed.

关 键 词：SITH 正向阻断电压 栅阴击穿电压 静电感应晶闸管 耐压容量 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学] TN386.6