激光诱导等离子体淀积薄膜过程的研究  

Study on Process of Film Deposited by Laser Plasma

作　　者：张贵银[1] 荆一东[1] 

机构地区：[1]华北电力大学,河北保定071003

出　　处：《四川工业学院学报》2001年第4期66-67,共2页Journal of Sichuan University of Science and Technology

摘　　要：用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式。分析了激光强度、气体压强、基片温度对淀积过程的影响 。Two important parameters in the process of laser induced plasma chemical vapor deposition film size and deposition rate are deduced with shock wave theory The influence of laser intensity,atmosphere and pedestal temperature on the deposition process is analysed

关 键 词：激光诱导等离子体化学气相淀积 薄膜面积 淀积速率 薄膜 制备 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] O53[理学—物理]