离子注入水稻诱变育种机理初探  

PRELIMINARY STUDIES ON THE MUTAQENIC MECHANISM OF THE ION IMPLAMTATI ON RICE

作　　者：余增亮[1] 何建军[1] 邓建国[1] 王学栋[2] 吴跃进[2] 刘贵付[2] 

机构地区：[1]中国科学院等离子体研究所 [2]安徽省农科院水稻研究所

出　　处：《安徽农业科学》1989年第1期12-16,共5页Journal of Anhui Agricultural Sciences

摘　　要：一、引言自从1927年Muller发现X射线能大大增加植物突变率以来,辐射植物学以及在此基础上发展起来的新兴研究领域—植物辐射育种学得到了飞速的发展,在作物选育和培育新品种方面取得了举世瞩目的成果。近三十年来,诱变育种又掀起了新的高潮。各种物理化学方法纷纷引入到诱变育种领域中来。其目的是提高突变率和突变频谱,从而为选育符合人们需要的品种提供更大的基因库。另一方面,突变没有方向性,诱变育种的主要手段还是靠田间选育,这就影响了诱变育种的效率。为了解决这些问题,除了加强基础研究外,寻找新的诱变源是解决问题的途径之一。Ion implantation as a new mutagenic source was used to the mut agenic breeding of rice. Experimental results show that ion implantation dry seeds of rice possess lower damage, higher mutagenic frequence, and wider mutagenic spectrum than the other irradiation rays. This paper discusses the mutagenic mechanism of the ion implantation on rice from the view point of the interaction between energies ions and organisms molecules.

关 键 词：水稻 育种 诱变 离子 

分 类 号：S511.103.5[农业科学—作物学]