GeSi-PMODMOS器件研究  

Research on GeSi-PMODMOS device

作　　者：郑宜钧 顾军 贾永华 江锋 张铃铃 洪海燕 

机构地区：[1]电子58研究所,江苏无锡214035

出　　处：《半导体技术》2001年第9期49-53,58,共6页Semiconductor Technology

基　　金：国防预研科技基金赞助项目(98G8.3.1.DZ O6O1)

摘　　要：在分析ＰＭＯＤＭＯＳ结构以及器件物理基础上，重点研究了ＧｅＳｉ沟道中Ｇｅ含量分布、超薄栅介质层ＳｉＯ２和引帽层厚度等对ＧｅＳｉ－ＰＭＯＤＭＯＳ特性的影响。介绍了与ＧｅＳｉ－ＰＭＯＤＭＯＳ结构器件相关的超薄栅介质层（ＰＥＳｉＯ２，ＬＰＳｉＯ２）、超浅结工艺和超浅结金属化等重要工艺技术。The effects of Ge distributing, thickness of super thin gate electric (SiO2 ) and Si cap layer thickness in GeSi channel on GeSi-PMODMOS characteristic,on the basics of analyz- ing PMODMOS structure and device physics are analyzed. In addition the important technologies of thin gate electric (SiO2 ), shallow-junction and shallow-junction metallization relative to PMODMOS device structure are presented.

关 键 词：异质结构 MODMOS 器件 场效应晶体管 锗 硅 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]