颗粒硅带上薄膜太阳电池的研究  

A THIN FILM SOLAR CELL ON SSP SUBSTRATE

作　　者：励旭东[1] 许颖[2] 李维刚[1] 姬成周[1] 李仲明[2] 马本堃[1] 

机构地区：[1]北京师范大学低能核物理研究所,北京100875 [2]北京市太阳能研究所,北京100083

出　　处：《北京师范大学学报（自然科学版）》2001年第6期781-784,共4页Journal of Beijing Normal University(Natural Science)

基　　金：国家科技部"九七三"基金资助项目

摘　　要：采用颗粒硅带 (SSP)作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积 (RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达 6 .36 %的薄膜太阳电池 .对衬底特性、电池制作工艺、存在问题及进一步的研究方向做了探讨 .Polycrystalline silicon thin film soalr cell on low cost SSP substrate is studied to satisfy the needs of cost reduction and industrialization. The best efficiency of 6.36% (J SC=24.55 mA·cm -2,V OC=432.6 mV,F f=0.598 7) has been achieved. Processing conditions and further work are discussed.

关 键 词：颗粒硅带 薄膜太阳电池 快速热化学气相沉积 多晶硅薄膜 制作工艺 

分 类 号：TM914.42[电气工程—电力电子与电力传动]