低压ZnO压敏电阻材料研究及发展概况  

The development of research on low-voltage ZnO varistor

作　　者：张丛春[1] 周东祥[1] 龚树萍[1] 

机构地区：[1]华中理工大学电子科学与技术系,湖北武汉430074

出　　处：《功能材料》2001年第4期343-347,共5页Journal of Functional Materials

摘　　要：概述了低压ZnO压敏电阻材料的制备工艺、应用技术、粉料制备 ,以及晶界特性、导电模型、老化机理的研究进展和研究中存在的问题 ,并对以后的发展方向进行了展望。着重讲述了掺杂物对烧结过程、晶粒生长和晶界结构的作用以及显微结构 (晶粒大小及晶界状态 )均匀性对电性能和老化特性的影响 ,并提出了改善老化性能的关键措施。The recent developments on study of low voltage ZnO varistor were reviewed in this paper, which contain the application technique, theory of conduction and degradation, microstructure inhomogeneities. Particular attention is given to the effect of doping on the grain growth and the effect of microstructure inhomogeneities on the electrical properties and degradation.

关 键 词：低压压敏电阻 显微结构 晶界 老化 氧化锌陶瓷 

分 类 号：TN304.93[电子电信—物理电子学] TQ174.758[化学工程—陶瓷工业]