NiTi形状记忆薄膜的溅射制备及晶化热处理工艺  

Preparation and Annealing of Sputtered NiTi Shape Memory Thin Films

作　　者：宫峰飞[1] 沈惠敏[2] 王业宁[2] 

机构地区：[1]华东师范大学物理系,上海200062 [2]南京大学固体微结构国家重点实验室,江苏南京210008

出　　处：《材料热处理学报》2001年第4期40-42,共3页Transactions of Materials and Heat Treatment

基　　金：国家自然科学基金资助 (编号 59672 0 2 4 );上海市启明星基金资助 (编号 98QE1 4 0 2 9)

摘　　要：用磁控溅射法制备了NiTi非晶薄膜。薄膜无形状记忆效应。研究了经不同晶化热处理后的形状记忆效应 ,获得的最佳晶化热处理条件为 5 0 0～ 70 0℃范围内晶化 0 5h。The amorphous NiTi thin films fabricated by magnetron sputtering demonstrate no shape memory effect. The shape memory effect after different annealing conditions was studied. The optimum annealing condition was in the temperature range of 500℃ to 700℃ for 0.5h.

关 键 词：NITI 形状记忆薄膜 溅射制备 晶化热处理 

分 类 号：TG139.6[一般工业技术—材料科学与工程]