并四苯晶体的物理气相沉积  

Physical Vapor Deposition of Tetracene Crystals

作　　者：刘建军[1] 李永军[1] 刘明大[1] 石家纬[1] 葛翔[1] 纪平[1] 郭树旭[1] 金恩顺[1] 

机构地区：[1]吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室,吉林长春130023

出　　处：《半导体光电》2001年第6期437-439,442,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (6 9876 0 15 )

摘　　要：设计了水平沉积系统 ,物理气相生长了并四苯晶体。仅用 10～ 30mg的源 ,得到了面积达 2 0mm2 的片状晶体。报道了可重复性的晶体生长条件。测试表明 ,晶体表面光滑 。The transport system and horizontal furnace have been designed to grow tetracene crystals by physical vapor transport.Using only 10～30 mg of source material,plate like crystals up to 20 mm 2 in area have been grown.Conditions for the reproducible growth of crystals are reported.The measurements indicate the highly ordered structure and smooth surface of the sample.

关 键 词：并四苯 有机晶体 物理气相沉积 

分 类 号：O743.5[理学—晶体学]