自由电子激光诱导Hg_(1-x)Cd_xTe中双光子光电导  

作　　者：袁先漳[1] 陆卫[1] 江俊[1] 徐国森[1] 沈学础[1] 王明凯[2] 杨学平[2] 吴钢[2] 李永贵[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院高能物理研究所自由电子激光实验室,北京100080

出　　处：《中国科学（A辑）》2001年第10期939-943,共5页Science in China(Series A)

基　　金：国家"973"重点基础研究 (批准号:G19980 614 0 4 );国家自然科学基金 (批准号 :10 0 74 0 68)资助项目

摘　　要：应用北京自由电子激光 (BFEL)对典型的红外光电子材料Hg1-xCdxTe进行了非线性光电导特性研究 .利用自由电子激光的高光子密度特性 ,采用光电导实验构型研究了Hg1-xCdxTe材料中双光子吸收诱导光电导特性 ,观测到了随激发光强度增大而出现的饱和效应 ,并比较了不同偏压下双光子光电导的特性 .

关 键 词：自由电子激光 双光子吸收 非线性光电导 汞镉碲材料 红外光电子材料 饱和效应 半导体性质 

分 类 号：TN241[电子电信—物理电子学]