纳电子器件谐振隧道二极管的研制  

Fabrication of Nanoelectronic Resonant Tunneling Diodes

作　　者：梁惠来[1] 赵振波[1] 郭维廉[1] 张世林[1] 牛萍娟[1] 杨中月[2] 郝景臣 张豫黔[2] 王文君[2] 魏碧华[2] 周均铭[3] 王文新 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072 [2]信息产业部电子第十三研究所,石家庄050051 [3]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第1期91-94,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6The resonant tunneling diodes are fabricated with the conventional semiconductor device technology.The double barrier single quantum well is grown on GaAs substrate by molecular beam epitaxy.For the size of 5μm×5μm,the devices show excellent I V characteristics with peak to valley current ratios as high as 7 6∶1 at 300K.Its maximum oscillation frequency is more than 26GHz.

关 键 词：纳米电子器件 谐振隧道二极管 砷化镓 

分 类 号：TN312.2[电子电信—物理电子学]