王文君

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：砷化镓纳米电子器件纳电子器件GAAS集成电路辐照效应更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体技术》更多>>
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GaAs集成电路辐照效应试验研究被引量：1
《半导体技术》2010年第8期803-805,共3页王文君 田国平 
GaAs集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各领域,尤其是航天航空方面。电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,因此对3 bit GaAs加权相加电路进行了全面的辐照效应试验技术研究,主要对该电路进行中子、γ总剂量和γ剂量率...
关键词：砷化镓 集成电路 抗辐射 辐射效应 试验 
纳电子器件谐振隧道二极管的研制被引量：2
《Journal of Semiconductors》2002年第1期91-94,共4页梁惠来 赵振波 郭维廉 张世林 牛萍娟 杨中月 郝景臣 张豫黔 王文君 魏碧华 周均铭 王文新 
采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6
关键词：纳米电子器件 谐振隧道二极管 砷化镓 
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