田国平

作品数:7被引量:10H指数:2
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基于导航系统的低功耗全集成频率综合器设计
《半导体技术》2015年第6期421-425,共5页卢东旭 高博 耿双利 田国平 谷江 丁理想 赵永瑞 
针对双模卫星导航接收系统对集成度、功耗和面积的需求,研究了频率综合器的电路结构和频率规划,分析了频率综合器环路的参数设计,实现了片上集成环路滤波器,版图采用MIM和MOS电容堆叠的方式节省了面积,电容电阻采用了加权的方式,使环路...
关键词:频率综合器 低功耗 全集成 环路滤波器 预分频器 
宽温范围高温度稳定性曲率互补电压基准设计
《半导体技术》2015年第6期426-430,共5页赵永瑞 吴洪江 卢东旭 田国平 
针对当前射频系统中电源管理芯片在宽温度范围下对带隙基准稳定性的较高要求,提出了一种新型互补带隙基准电路结构,通过将带隙基准与MOS弱反型区基准的温度系数曲率互补叠加,实现了极宽温度范围内带隙电压基准的高温度稳定性输出。采用0...
关键词:宽温度范围 带隙基准 温度稳定性 曲率互补 温度系数 
集成L波段VCO的频率合成器设计
《半导体技术》2014年第12期888-891,916,共5页卢东旭 高博 吴洁 田国平 
从频率合成器的构成和噪声模型入手,分析了主要单元电路对噪声的贡献,进而研究了各频率合成器模块中的噪声影响因子,建立了不同模块的噪声模型,并在模型基础上改进了压控振荡器的电流源结构及鉴相器的延时单元电路,从而提高了频率合成...
关键词:频率合成器 相位噪声 压控振荡器 鉴相器 电荷泵 
GaAs PHEMT通信开关电路设计被引量:4
《半导体技术》2013年第9期656-660,共5页白元亮 田国平 
设计制作了GaAs PHEMT通信开关电路。分析了基于GaAs场效应晶体管(FET)的正压控制开关电路原理,采用GaAs FET器件串并联结构设计了单刀双掷(SPDT)和双刀双掷(DPDT)开关电路。使用ADS软件对电路进行了优化设计,并对电路版图进行了电磁场...
关键词:GAAS PHEMT 正压控制 单刀双掷(SPDT) 双刀双掷(DPDT) 
DC~20GHz GaAs PHEMT超宽带低噪声放大器被引量:4
《半导体技术》2013年第8期571-575,共5页朱思成 田国平 白元亮 张晓鹏 陈兴 
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC~20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中。电路采用分布式放大器结构,单节采用共源共栅的结构形式实现,其与共源结构相比,拥有较低的栅...
关键词:赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 低噪声放大器 分布式放大器 共源共栅 噪声系数 
GaAs 10 bit DAC的抗辐射设计和实验被引量:1
《半导体技术》2012年第4期249-253,共5页田国平 吴洪江 朱思成 
通过分析砷化镓(GaAs)器件的电离辐射剂量率辐照机理和效应,结合电路结构,描述了砷化镓10 bit数模转换器(DAC)的电离辐射剂量率辐射效应、抗辐射设计和辐照实验。在电路设计上,10 bit DAC由两个5 bit DAC组成,通过芯片内部合成10 bit D...
关键词:砷化镓 数模转换器 电离辐射剂量率 抗辐射 辐照机理 
GaAs集成电路辐照效应试验研究被引量:1
《半导体技术》2010年第8期803-805,共3页王文君 田国平 
GaAs集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各领域,尤其是航天航空方面。电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,因此对3 bit GaAs加权相加电路进行了全面的辐照效应试验技术研究,主要对该电路进行中子、γ总剂量和γ剂量率...
关键词:砷化镓 集成电路 抗辐射 辐射效应 试验 
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