陈兴

作品数：8被引量：11H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：CMOSPHEMT分布式放大器在片测试单片电路更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《太赫兹科学与电子信息学报》《半导体技术》更多>>
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一种三维集成的Ku波段高功率T/R模块
《半导体技术》2024年第6期569-574,共6页陈兴 张超 陈东博 赵永志 
基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维(3D)异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段四通道高功率收发(T/R)模块。该模块由两层硅基封装堆叠而成,层间采用球栅阵列(BGA)植球堆叠,实现模块小型化;采用高低阻抗匹配建...
关键词：硅基微电子机械系统(MEMS) 收发(T/R)模块 三维集成 高功率 散热设计 
一种基于硅基MEMS三维异构集成技术的T/R组件
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第3期331-336,共6页陈兴 张超 李晓林 赵永志 
基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段双通道T/R组件。该组件由两层硅基结构通过球栅阵列(BGA)植球堆叠而成,上下两层硅基封装均采用5层硅片通过硅通孔(TSV)、晶圆级键合工...
关键词：微系统 硅基MEMS 收发组件 三维集成 
一种9端口微波多功能收发芯片在片测试技术被引量：2
《半导体技术》2022年第4期332-335,共4页陈兴 樊渝 李梦琪 
多功能芯片由单入单出单通道升级为多入多出多通道收发芯片,并大量应用于现代通信领域。针对多收发通道多功能芯片测试过程中,多次移动探针、重复压针、无法自动测量、测试效率低等不足,研究了多端口在片校准技术。通过去嵌入校准方法,...
关键词：多功能芯片 多通道 共面探针 去嵌入 S参数 
DC～20GHz GaAs PHEMT超宽带低噪声放大器被引量：4
《半导体技术》2013年第8期571-575,共5页朱思成 田国平 白元亮 张晓鹏 陈兴 
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中。电路采用分布式放大器结构,单节采用共源共栅的结构形式实现,其与共源结构相比,拥有较低的栅...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 低噪声放大器 分布式放大器 共源共栅 噪声系数 
2～20GHz分布式单片放大器设计
《半导体技术》2012年第8期594-597,共4页陈兴 朱思成 高学邦 
介绍了一种采用0.15μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2～20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级联分布式结构。此种电路结构不仅能够增加整体电路的增益和带宽,还可以提高电路的反向隔离,获得更低的...
关键词：宽带 分布式放大器 单片电路 GAAS PHEMT 低噪声 
频率测量单片集成电路的研究被引量：1
《半导体技术》2008年第9期836-839,共4页任怀龙 陈兴 默立冬 廖斌 吴洪江 
介绍了等精度测频的基本原理，以此为基础，设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路。着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计。该电路芯片在0．18μm CMOS标准工艺线上完成了制作，封装于CQFP48中。经...
关键词：频率测量 低功耗 单片电路 等精度测量 
5．8GHz CMOS混频器设计被引量：3
《半导体技术》2008年第3期257-260,共4页任怀龙 默立冬 吴思汉 陈兴 冯威 廖斌 吴洪江 
国家自然科学基金重点资助项目(90307016);国家预研项目(E0617010)
介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8 GHz CMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8 V时,RF频率5.8 GHz,本振频率5.78 GHz,中频频率20 MHz下,转换增益7.3 dB、输入...
关键词：CMOS混频器 转换增益 线性度 
1.5GHz CMOS ECL输入接口的设计与测试被引量：1
《半导体技术》2005年第7期63-65,共3页廖斌 任怀龙 吴洪江 陈兴 
对一种高速CMOS ECL输入接口进行了分析研究,该接口包含一种双镜补偿的CMOS差分放大电路,采用0.18μm CMOS工艺研制,实现了PECL电平兼容。经测试,该接口最高工作频率达1.5GHz。
关键词：ECL输入接口 差分放大电路 CMOS工艺 
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