默立冬

作品数：8被引量：17H指数：3
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供职机构：河北半导体研究所更多>>
发文主题：双极型晶体管功率附加效率偏置电路双极型PHEMT更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《Journal of Semiconductors》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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一种42~46 GHz高效率功率放大器设计
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2020年第4期25-30,共6页杜鹏搏 默立冬 苏国东 蔡树军 
基于GaN HEMT工艺,对HEMT器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片。电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,各级选取合适的栅宽以满足功率、效率和增益等指标。芯片尺寸为...
关键词：GaN HEMT 大信号模型 功率放大器 饱和输出功率 功率附加效率 
GaAsE/DPHEMT正压驱动单片数控衰减器被引量：6
《半导体技术》2013年第12期910-913,923,共5页白元亮 张晓鹏 陈凤霞 默立冬 
采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了...
关键词：砷化镓 增强 耗尽型(E D) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 6 bit单片数控衰减器 正压控制电路 
7～13.5GHz单片低噪声放大器设计被引量：5
《半导体技术》2013年第7期497-501,524,共6页朱思成 默立冬 
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7～13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的放大结构,每级采用自偏压技术实现单电源供电。电路中增加...
关键词：赝高电子迁移率晶体管 电子迁移率 晶体管(PHEMT) 低噪声放大器 负反馈 噪声系数 回波损耗 
2.45GHz电子射频标签模拟前端芯片的研制
《半导体技术》2009年第6期607-610,614,共5页李远鹏 吴洪江 默立冬 
分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC C1G2协议,提出半无源及有源电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、偏置单元、上电复位、解调、反向散射调制、振荡器等部分。采用多种方法,极大程度上实现了电路整体的低功耗,并且采...
关键词：射频标签 整流器 稳压源 限幅 ESD电路 静态工作电流 
频率测量单片集成电路的研究被引量：1
《半导体技术》2008年第9期836-839,共4页任怀龙 陈兴 默立冬 廖斌 吴洪江 
介绍了等精度测频的基本原理，以此为基础，设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路。着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计。该电路芯片在0．18μm CMOS标准工艺线上完成了制作，封装于CQFP48中。经...
关键词：频率测量 低功耗 单片电路 等精度测量 
5．8GHz CMOS混频器设计被引量：3
《半导体技术》2008年第3期257-260,共4页任怀龙 默立冬 吴思汉 陈兴 冯威 廖斌 吴洪江 
国家自然科学基金重点资助项目(90307016);国家预研项目(E0617010)
介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8 GHz CMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8 V时,RF频率5.8 GHz,本振频率5.78 GHz,中频频率20 MHz下,转换增益7.3 dB、输入...
关键词：CMOS混频器 转换增益 线性度 
微波宽带单片集成电路二分频器的设计与实现被引量：2
《半导体技术》2008年第2期164-166,共3页陈凤霞 默立冬 吴思汉 
国家自然科学基金重点资助项目(90307016);预先研究项目(E0617010)
采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1∶2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成。HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT工艺,成功地设计了输入频率范围为50 MHz^7 ...
关键词：二分频器 异质结双极晶体管 锁存器 D触发器 阻抗匹配 
A 12～18GHz Wide Band VCO Based on Quasi-MMIC
《Journal of Semiconductors》2008年第1期63-68,共6页王绍东 高学邦 吴洪江 王向玮 默立冬 
Using an in-house MMIC and an off-chip,high-quality varactor, a novel wide band VCO covered Ku band is introduced. In contrast to HMIC technology, this method reduces the complexity of microchip assembly. More importa...
关键词：MMIC WIDE-BAND VCO Ku band off-chip varactor bond-wire inductor 
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