王向玮

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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：移相器超低功耗GAN_HEMT器件功率附加效率工艺特点更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家重点实验室开放基金更多>>
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毫米波数控移相器的设计与制作
《半导体技术》2011年第2期140-143,共4页王向玮 高学邦 吴洪江 李富强 
国家重点实验室资助项目(9140C0610010905)
移相器是毫米波相控阵雷达收发系统重要电路,基于安捷伦IC-CAP软件及砷化镓原片工艺线,研究了砷化镓毫米波开关器件测试、建模技术及其应用。采用0.15μm GaAs PHEMT工艺成功制作了一款Ka波段5位数控移相器MMIC,对毫米波数控移相器MMIC...
关键词：毫米波 开关 移相器 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 
A 12～18GHz Wide Band VCO Based on Quasi-MMIC
《Journal of Semiconductors》2008年第1期63-68,共6页王绍东 高学邦 吴洪江 王向玮 默立冬 
Using an in-house MMIC and an off-chip,high-quality varactor, a novel wide band VCO covered Ku band is introduced. In contrast to HMIC technology, this method reduces the complexity of microchip assembly. More importa...
关键词：MMIC WIDE-BAND VCO Ku band off-chip varactor bond-wire inductor 
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