杜鹏搏

作品数：10被引量：19H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：功率放大器单片微波集成电路MMICKA波段GAN更多>>
发文领域：电子电信机械工程更多>>
发文期刊：《武汉大学学报（理学版）》《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》《电子与封装》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划更多>>
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卫星互联网用Ka波段开关功率芯片
《微纳电子技术》2025年第3期53-59,共7页曲韩宾 崔朝探 芦雪 王宇行 杜鹏搏 
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一种高集成、高效率、小尺寸的Ka波段单通道多功能芯片。芯片内部集成单刀双掷开关和功率放大器单元。开关单元采用1/4波长线并联一指开关管结构,以降低插入损耗;功率放大器采用...
关键词：GAAS 多功能芯片 高集成 高效率 级联设计 
2-6 GHz小型化、高效率GaN功率放大器被引量：2
《电子与封装》2023年第9期50-54,共5页刘健 张长城 崔朝探 李天赐 杜鹏搏 曲韩宾 
基于GaN功率放大器小型化、轻薄化的发展趋势,选用陶瓷方形扁平无引脚(CQFN)管壳封装,设计了一种2~6GHz宽频带、小尺寸、高效率的功率放大器,并阐述了设计方法和研制过程。随着器件功率密度的不断升高,散热问题成为设计中不可忽略的因素...
关键词：GaN功率放大器 陶瓷方形扁平无引脚管壳封装 小型化 高效率 热仿真分析 
金刚石在GaN功率放大器热设计中的应用被引量：3
《半导体技术》2022年第10期834-838,共5页崔朝探 陈政 郭建超 赵晓雨 何泽召 杜鹏搏 冯志红 
随着GaN功率放大器向小型化、大功率发展,其热耗不断增加,散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达2 000 W/(m·K),是一种极具竞争力的新型散热材料,可用作大功率器件的封装载片。采用不同载片材料对一款热耗为...
关键词：GaN功率放大器 金刚石材料 有限元仿真 芯片结温 散热能力 
X波段小型封装GaN功率放大器设计被引量：3
《电子与封装》2022年第6期33-38,共6页崔朝探 陈政 杜鹏搏 焦雪龙 曲韩宾 
基于GaN功率放大器模块化、小型化的发展需求,设计了一款X波段小型管壳封装的功率放大器。通过合理排布电路结构,实现了封装尺寸的小型化。由于器件功率密度不断提升,散热问题不容忽视,通过对不同材料的管壳底座进行热仿真分析,模拟芯...
关键词：GaN功率放大器 小型封装 热仿真分析 电性能测试 
Ka波段GaN HEMT高效率功率放大器MMIC被引量：2
《半导体技术》2022年第3期231-236,共6页杜鹏搏 王瑜 焦雪龙 刘学利 崔朝探 任志鹏 曲韩宾 
研制了一款基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的Ka波段功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC)。MMIC采用三级级联放大结构,在末级采用簇丛型合成网络实现8胞功率合成,电路输入端和级间采用低通电抗式匹配网络,输出端采用带通...
关键词：功率放大器(PA) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 功率合成 奇模抑制 
一种42~46 GHz高效率功率放大器设计
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2020年第4期25-30,共6页杜鹏搏 默立冬 苏国东 蔡树军 
基于GaN HEMT工艺,对HEMT器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片。电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,各级选取合适的栅宽以满足功率、效率和增益等指标。芯片尺寸为...
关键词：GaN HEMT 大信号模型 功率放大器 饱和输出功率 功率附加效率 
Ka波段GaN HEMT大功率、高效率放大器MMIC被引量：8
《半导体技术》2013年第5期338-341,360,共5页杜鹏搏 徐伟 王生国 高学邦 蔡树军 
采用GaN HEMT工艺,解决了GaN功率HEMT材料结构、大信号模型提取、电路设计、芯片测试等难题,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制出Ka波段GaN大功率、高效率功率放大器MMIC。该单片功率放...
关键词：KA波段 氮化镓 单片微波集成电路 高电子迁移率晶体管 高功率 高效率 
Ka波段高效率GaAs功率放大器MMIC被引量：3
《半导体技术》2013年第2期97-100,共4页杜鹏搏 张务永 孙希国 崔玉兴 高学邦 付兴昌 吴洪江 蔡树军 
采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilki...
关键词：砷化镓 KA波段 单片微波集成电路 功率放大器 高效率 
钝化边沿的制作及其对GaInP/GaAs SHBT性能的影响
《半导体技术》2007年第3期213-216,共4页杜鹏搏 蔡克理 蔡树军 
国家863项目(编号:2005AA123720)
利用光刻胶形成保护侧墙,用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单,不需要额外的绝缘介质作为掩膜,也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP/GaAs单异质结双极型晶体管(SHBT),并对不同尺寸有无钝化边沿的器...
关键词：侧墙 发射极钝化边沿 单异质结双极型晶体管 
便携式双色验钞器的设计与研制
《武汉大学学报（理学版）》2005年第S2期75-78,共4页杜鹏搏 陈炳若 
中科院传感技术国家重点实验室基金资助项目(SKt0401)
对商品验钞器的现状和存在的问题进行了分析,提出了合理的解决方案.在理论分析的基础上,设计并研制出一种便携式双色验钞器,该装置以紫光发光二极管(LED)和红外半导体激光二极管(LD)作为双色光源,照射人民币的荧光标志产生不同的荧光效...
关键词：紫光发光二极管(LED) 红外半导体激光二极管(LD) 验钞 
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