蔡克理

作品数：12被引量：7H指数：1
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发文主题：双极晶体管HBTMSMHEMT光接收机更多>>
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发文期刊：《半导体技术》《电子器件》《光电子．激光》《固体电子学研究与进展》更多>>
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钝化边沿的制作及其对GaInP/GaAs SHBT性能的影响
《半导体技术》2007年第3期213-216,共4页杜鹏搏 蔡克理 蔡树军 
国家863项目(编号:2005AA123720)
利用光刻胶形成保护侧墙,用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单,不需要额外的绝缘介质作为掩膜,也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP/GaAs单异质结双极型晶体管(SHBT),并对不同尺寸有无钝化边沿的器...
关键词：侧墙 发射极钝化边沿 单异质结双极型晶体管 
单片集成MSM/HEMT长波长光接收机被引量：3
《光电子．激光》2000年第3期241-243,共3页敖金平 曾庆明 赵永林 李献杰 蔡克理 刘式墉 梁春广 
国家"八六三"计划资助项目![863 -3 0 7-0 6-0 2 ( 0 3 ) ]
本文介绍了利用 In Ga As金属 -半导体 -金属 (MSM)长波长光探测器与 In Al As- In Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT)单片集成来实现长波长光接收机的材料和电路设计、工艺途径等研究工作 ,基本解决了两种器件集成的工艺兼容性的问题 ,...
关键词：MSM光探测器 光接收机 长波长 光集成电路 
MCM倒装焊技术在CMOS-SEED灵巧象素中的应用研究
《光电子．激光》2000年第3期244-247,共4页李献杰 曾庆明 蔡克理 敖金平 赵永林 王全树 郭建魁 刘伟吉 徐晓春 张钢 赵建中 
国家"八六三"计划资助项目!( 863 -3 0 7-0 6-0 4)
介绍了新型 CMOS- SEED灵巧像素结构原理及相关的 MCM倒装焊混合集成技术 ,采用厚光致抗蚀剂作掩模 ,通过磁控溅射和真空蒸发相结合 ,研究了与 CMOS- SEED有关的 In凸点阵列成型、倒装焊、芯片间隙注入及子芯片衬底减薄或去除等关键工艺。
关键词：倒装焊 光电集成 CMOS-SEED 灵巧象素 
与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺被引量：1
《半导体情报》1999年第1期37-40,共4页李献杰 曾庆明 蔡克理 敖金平 赵永林 焦智贤 王全树 郭建魁 
介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术，采用厚光致抗蚀剂作掩模，通过磁控溅射和真空蒸发相结合，解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺，并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成...
关键词：倒装焊 CMOS-SEED 半导体光电器件 凸点 
OEIC光接收机研究的湿法选择腐蚀被引量：1
《半导体情报》1999年第1期47-49,共3页敖金平 曾庆明 赵永林 李献杰 蔡克理 梁春广 刘式墉 
试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ∶ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ∶ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀，达到了较好的效果，且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ（金属－半导体－金属）光探测器的光响应度可达到０．５Ａ／Ｗ，...
关键词：MSM OEIC 选择腐蚀 光接收机 光电子集成电路 
InP基InAlAs-InAs HEMT被引量：1
《半导体情报》1998年第2期35-37,共3页敖金平 曾庆明 蔡克理 赵永林 
对ＩｎＡｓ沟道ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓ高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究，器件样品性能良好，１μｍ栅长ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓＨＥＭＴ器件的最大跨导３００Ｋ时达到２５０ｍＳ／ｍｍ。这是国内首次研制...
关键词：高电子迁移率 晶体管 HEMT 砷化铟 
高电流截止频率GaInP/GaAs HBT
《电子器件》1997年第1期20-23,共4页焦智贤 蔡克理 王全树 潘静 
本文简要介绍了GaInP/GaAsHBT的发展现状,用湿法工艺制作了自对准GaInP/GaAsHBT,其电流截止频率高达50GHz,性能优于我们在同等工艺条件下制作的AlGaAs/GaAsHBP.
关键词：异质结 双极晶体管 镓铟磷 砷化镓 截止频率 
8毫米功率HBT研究
《半导体情报》1996年第4期15-18,共4页焦智贤 蔡克理 曾庆明 王全树 潘静 
简要介绍了异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的发展现状。对ＨＢＴ器件性能进行了理论分析、设计并制作了功率ＨＢＴ器件样品。器件性能达到：ｆ＿Ｔ＝４０ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝３２ＧＨｚ，在８ＧＨｚ工作频率下测量，输出功率为１００...
关键词：异质结 双极晶体管 微波功率 HBT 
GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究被引量：1
《半导体情报》1996年第4期42-50,共9页李献杰 曾庆明 东熠 蔡克理 
分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化...
关键词：表面 钝化 表面复合 砷化镓 
重掺碳基区GaInP／GaAs异质结双极晶体管初探
《固体电子学研究与进展》1995年第3期307-308,共2页严北平 潘静 蔡克理 章其麟 罗晋生 
重掺碳基区ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管初探严北平，潘静，蔡克理，章其麟，罗晋生（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（河北半导体研究所，石家庄，０５００５１）ＡＳｔｕｄｙｏｆＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ－ＨＢＴｗｉ...
关键词：双极晶体管 半导体 GaInP/GaAu 异质结 掺碳 
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