章其麟

作品数：9被引量：10H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：氮化镓砷化镓外延层光致发光MOCVD生长更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《发光学报》《光学学报》《稀有金属》《科学通报》更多>>
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固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质被引量：2
《Journal of Semiconductors》1999年第4期333-337,共5页陈开茅 孙文红 秦国刚 吴克 李传义 章其麟 周锡煌 顾镇南 
国家自然科学基金
本文通过在ＧａＮ衬底上生长固体Ｃ６０膜制成了Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ接触，并对其电学性质作了测量．我们发现该接触是理想因子接近于１的强整流接触异质结．在偏压为±１Ｖ时，其整流比高达１０６．在固定正向偏压条件下，异质结电流是...
关键词：氮化镓 电学性质 制备 
RIE技术制备p-n结型GaN蓝光LEDs
《发光学报》1999年第1期94-96,共3页章其麟 张冀 赵永军 李云 梁春广 刘燕飞 杨瑞林 
自从Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ等人成功地制备了ＧａＮ／ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ蓝、绿光ＬＥＤｓ以来，ＧａＮ及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究．由于ＧａＮ材料不同于传统的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，因此其器件的加...
关键词：反应离子刻蚀 氮化镓 蓝光 发光二极管 
GaN材料生长研究被引量：5
《半导体情报》1997年第5期6-9,共4页章其麟 孙文红 刘燕飞 毕书亮 耿金花 秦国刚 
用常压ＭＯＣＶＤ方法我们在蓝宝石（０００１）、Ｓｉ（１１１）衬底上，成功地制备出ＧａＮ单晶薄膜材料，取得了ＧａＮ材料的初步测试结果。纯度ＧａＮ为ｎ型，载流子浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３，迁移率为２００～３５０ｃｍ...
关键词：氮化镓 发光二极管 外延生长 
重掺碳基区GaInP／GaAs异质结双极晶体管初探
《固体电子学研究与进展》1995年第3期307-308,共2页严北平 潘静 蔡克理 章其麟 罗晋生 
重掺碳基区ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管初探严北平，潘静，蔡克理，章其麟，罗晋生（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（河北半导体研究所，石家庄，０５００５１）ＡＳｔｕｄｙｏｆＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ－ＨＢＴｗｉ...
关键词：双极晶体管 半导体 GaInP/GaAu 异质结 掺碳 
重掺碳砷化镓的光致发光研究
《科学通报》1994年第24期2235-2237,共3页严北平 罗晋生 章其麟 
军事电子预研基金资助项目
异质结双极晶体管（HBT）利用宽禁带材料作发射区来允许基区重掺杂以减小基区电阻且不降低直流电流增益.基区重掺杂会干扰半导体的能带结构,从而影响器件的光学性质和电学性能.Klausmeier-Brown等通过电学测量已证实:由于基区重掺杂使...
关键词：砷化镓 光致发光 双极晶体管 碳 
MOCVD 生长 GaAlAs/GaAs HBT 材料的研究
《稀有金属》1993年第6期417-419,共3页关兴国 李景 章其麟 任永一 
研究了 MOCVD 法 GaAlAs/GaAs 多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制,得出了 GaAlAs 发射极的 PL 性质和多层材料的纵向浓度分布是 HBT 材料的质量表征的结论。采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改...
关键词：复合材料 半导体材料 MOCVD法 
MoCVD生长重掺碳GaAs
《半导体情报》1993年第3期41-44,共4页关兴国 章其麟 李景 任永一 刘燕飞 
以四氧化碳(CCl_4)为掺杂剂进行了MOCVD生长掺碳GaAs的研究。p-GaAs外延层的最高空穴浓度可达1.8×10^(20)/cm^3,相应的迁移率为37cm^2/V.s。在重掺杂p-GaAs外延层中出现明显的能带收缩和晶格失配。
关键词：砷化镓 碳掺杂 能带晶格失配 
MOCVD法生长Ca_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光与温度的依赖关系被引量：2
《光学学报》1992年第10期897-901,共5页高瑛 赵家龙 刘学彦 苏锡安 梁家昌 李景 关兴国 章其麟 
国家自然科学基金;中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室基金资助课题
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关的发光带,其峰值能量分别为1.17,0.99和0.85eV.研究了这些发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温...
关键词：近红外 光致发光 深能级 镓铟磷 
GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系被引量：1
《Journal of Semiconductors》1992年第4期236-241,共6页赵家龙 高瑛 刘学彦 苏锡安 梁家昌 关兴国 章其麟 
国家自然科学基金;中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室基金
本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激...
关键词：衬底 外延生长 红外光谱 强度 
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