耿金花

作品数：1被引量：5H指数：1
导出分析报告
供职机构：电子工业部更多>>
发文主题：GAN材料氮化镓发光二极管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GaN材料生长研究被引量：5
《半导体情报》1997年第5期6-9,共4页章其麟 孙文红 刘燕飞 毕书亮 耿金花 秦国刚 
用常压ＭＯＣＶＤ方法我们在蓝宝石（０００１）、Ｓｉ（１１１）衬底上，成功地制备出ＧａＮ单晶薄膜材料，取得了ＧａＮ材料的初步测试结果。纯度ＧａＮ为ｎ型，载流子浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３，迁移率为２００～３５０ｃｍ...
关键词：氮化镓 发光二极管 外延生长 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部