李云

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：河北半导体研究所更多>>
发文主题：单片式离子注入砷化镓GAASGAN更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《发光学报》《压电与声光》更多>>
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GaAs单片式声表面波存储相关器被引量：2
《压电与声光》2002年第1期8-11,共4页白涛 李云 陈运祥 朱昌安 
主要介绍了一种利用具有压电特性的半导体材料砷化镓设计和制作的声表面波非线性效应器件 ;声表面波存储相关器 ,对在这种器件的研制过程中所应该注意的一些关键性问题 :如存储时间、离子注入等进行了较为详细的讨论 。
关键词：砷化镓 声表面波非线性效应 声表面波存储相关器 存储时间 离子注入 砷化镓 
RIE技术制备p-n结型GaN蓝光LEDs
《发光学报》1999年第1期94-96,共3页章其麟 张冀 赵永军 李云 梁春广 刘燕飞 杨瑞林 
自从Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ等人成功地制备了ＧａＮ／ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ蓝、绿光ＬＥＤｓ以来，ＧａＮ及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究．由于ＧａＮ材料不同于传统的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，因此其器件的加...
关键词：反应离子刻蚀 氮化镓 蓝光 发光二极管 
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