张冀

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发文主题：GAN氮化镓反应离子刻蚀蓝光结型更多>>
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RIE技术制备p-n结型GaN蓝光LEDs
《发光学报》1999年第1期94-96,共3页章其麟 张冀 赵永军 李云 梁春广 刘燕飞 杨瑞林 
自从Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ等人成功地制备了ＧａＮ／ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ蓝、绿光ＬＥＤｓ以来，ＧａＮ及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究．由于ＧａＮ材料不同于传统的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，因此其器件的加...
关键词：反应离子刻蚀 氮化镓 蓝光 发光二极管 
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