RIE技术制备p-n结型GaN蓝光LEDs  

RIE ETCHING AND FABRICATING OF GaN p n JUNCTION BLUE LEDS

作　　者：章其麟[1] 张冀[1] 赵永军 李云[1] 梁春广[1] 刘燕飞 杨瑞林 

机构地区：[1]河北半导体研究所

出　　处：《发光学报》1999年第1期94-96,共3页Chinese Journal of Luminescence

摘　　要：自从Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ等人成功地制备了ＧａＮ／ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ蓝、绿光ＬＥＤｓ以来，ＧａＮ及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究．由于ＧａＮ材料不同于传统的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，因此其器件的加工工艺，如欧姆或肖特基接触的形成、...The reactive ion etching (RIE) process at room temperature (RT) was developed to etch GaN grown on sapphire substrates and the p n junction GaN LEDs were successfully fabricated. BCl 3/Cl 2 was used as the etching chemistry. The typical etching rate is about 200～300nm/min with selectivity to resist mask above 5∶1.

关 键 词：反应离子刻蚀 氮化镓 蓝光 发光二极管 

分 类 号：TN364[电子电信—物理电子学] TN405.983