MOCVD 生长 GaAlAs/GaAs HBT 材料的研究  

作　　者：关兴国[1] 李景[1] 章其麟[1] 任永一 

机构地区：[1]河北半导体研究所,050051

出　　处：《稀有金属》1993年第6期417-419,共3页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：研究了 MOCVD 法 GaAlAs/GaAs 多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制,得出了 GaAlAs 发射极的 PL 性质和多层材料的纵向浓度分布是 HBT 材料的质量表征的结论。采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量,达到了良好的器件特性。

关 键 词：复合材料 半导体材料 MOCVD法 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]