关兴国

作品数：5被引量：5H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：外延层MOCVD生长砷化镓氮化物半导体氮化物更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《稀有金属》《光学学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体的进展被引量：2
《半导体情报》1996年第5期1-6,共6页李彦平 关兴国 
90年代初Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的实用化似乎还很遥远,但是自从蓝光GaN/GaInN LED 研制成功之后这个领域发生了巨变。目前,GaN 成为化合物半导体领域中最热门的课题。在下个十年中,基于 GaN 材料的激光器、HV 探测器和大功率高温半导体器件...
关键词：氮化物 半导体 Ⅲ-Ⅴ族 
MOCVD 生长 GaAlAs/GaAs HBT 材料的研究
《稀有金属》1993年第6期417-419,共3页关兴国 李景 章其麟 任永一 
研究了 MOCVD 法 GaAlAs/GaAs 多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制,得出了 GaAlAs 发射极的 PL 性质和多层材料的纵向浓度分布是 HBT 材料的质量表征的结论。采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改...
关键词：复合材料 半导体材料 MOCVD法 
MoCVD生长重掺碳GaAs
《半导体情报》1993年第3期41-44,共4页关兴国 章其麟 李景 任永一 刘燕飞 
以四氧化碳(CCl_4)为掺杂剂进行了MOCVD生长掺碳GaAs的研究。p-GaAs外延层的最高空穴浓度可达1.8×10^(20)/cm^3,相应的迁移率为37cm^2/V.s。在重掺杂p-GaAs外延层中出现明显的能带收缩和晶格失配。
关键词：砷化镓 碳掺杂 能带晶格失配 
MOCVD法生长Ca_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光与温度的依赖关系被引量：2
《光学学报》1992年第10期897-901,共5页高瑛 赵家龙 刘学彦 苏锡安 梁家昌 李景 关兴国 章其麟 
国家自然科学基金;中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室基金资助课题
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关的发光带,其峰值能量分别为1.17,0.99和0.85eV.研究了这些发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温...
关键词：近红外 光致发光 深能级 镓铟磷 
GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系被引量：1
《Journal of Semiconductors》1992年第4期236-241,共6页赵家龙 高瑛 刘学彦 苏锡安 梁家昌 关兴国 章其麟 
国家自然科学基金;中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室基金
本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激...
关键词：衬底 外延生长 红外光谱 强度 
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