李景

作品数：2被引量：2H指数：0
导出分析报告
供职机构：河北半导体研究所更多>>
发文主题：MOCVD法生长CA光致发光近红外外延层更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光学学报》《稀有金属》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
MOCVD 生长 GaAlAs/GaAs HBT 材料的研究
《稀有金属》1993年第6期417-419,共3页关兴国 李景 章其麟 任永一 
研究了 MOCVD 法 GaAlAs/GaAs 多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制,得出了 GaAlAs 发射极的 PL 性质和多层材料的纵向浓度分布是 HBT 材料的质量表征的结论。采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改...
关键词：复合材料 半导体材料 MOCVD法 
MOCVD法生长Ca_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光与温度的依赖关系被引量：2
《光学学报》1992年第10期897-901,共5页高瑛 赵家龙 刘学彦 苏锡安 梁家昌 李景 关兴国 章其麟 
国家自然科学基金;中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室基金资助课题
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关的发光带,其峰值能量分别为1.17,0.99和0.85eV.研究了这些发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温...
关键词：近红外 光致发光 深能级 镓铟磷 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部