重掺碳基区GaInP／GaAs异质结双极晶体管初探  

A Study of GaInP/GaAs-HBT with a Heavily C-doped Base

作　　者：严北平[1] 潘静[1] 蔡克理[1] 章其麟[1] 罗晋生[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电子工程系,河北半导体研究所

出　　处：《固体电子学研究与进展》1995年第3期307-308,共2页Research & Progress of SSE

摘　　要：重掺碳基区ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管初探严北平，潘静，蔡克理，章其麟，罗晋生（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（河北半导体研究所，石家庄，０５００５１）ＡＳｔｕｄｙｏｆＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ－ＨＢＴｗｉｔｈａＨｅａｖｉｌｙＣ－ｄｏｐｅｄ...

关 键 词：双极晶体管 半导体 GaInP/GaAu 异质结 掺碳 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]