重掺碳砷化镓的光致发光研究  

作　　者：严北平[1] 罗晋生[2] 章其麟[3] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071 [2]西安交通大学电子工程系,西安710049 [3]电子工业部第13研究所,石家庄050051

出　　处：《科学通报》1994年第24期2235-2237,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：军事电子预研基金资助项目

摘　　要：异质结双极晶体管（HBT）利用宽禁带材料作发射区来允许基区重掺杂以减小基区电阻且不降低直流电流增益.基区重掺杂会干扰半导体的能带结构,从而影响器件的光学性质和电学性能.Klausmeier-Brown等通过电学测量已证实:由于基区重掺杂使得注入到AlGaAs/GaAs-HBT基区的电子电流显著增大。

关 键 词：砷化镓 光致发光 双极晶体管 碳 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]