检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:敖金平[1] 曾庆明[1] 赵永林[1] 李献杰[1] 蔡克理[1] 刘式墉[2] 梁春广[1]
机构地区:[1]河北半导体研究所,石家庄050051 [2]吉林大学电子工程系,长春130023
出 处:《光电子.激光》2000年第3期241-243,共3页Journal of Optoelectronics·Laser
基 金:国家"八六三"计划资助项目![863 -3 0 7-0 6-0 2 ( 0 3 ) ]
摘 要:本文介绍了利用 In Ga As金属 -半导体 -金属 (MSM)长波长光探测器与 In Al As- In Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT)单片集成来实现长波长光接收机的材料和电路设计、工艺途径等研究工作 ,基本解决了两种器件集成的工艺兼容性的问题 ,实现了 1.3Gb/ s传输速率的单片集成长波长光接收机样品。This paper presents the work inclu dintg the material and circuit design,the process ot realizing long-wavelength ph otoreceiver by monolithically integrated InGaAs metal-semiconductor-metal (MSM ) photodetector and InAlAs-InGaAs High Electron Mobility Transistor (HEMT).The process compatibility for integrating the two kinds of devices has been done a lmost well and the sample with transmitting rate of 1.3 Gb/s has been obtained.
分 类 号:TN256[电子电信—物理电子学] TN491
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