云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 敖金平

敖金平: 作品数：18被引量：24H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：河北半导体研究所更多>>; 发文主题：光接收机HEMTOEICMSMINALAS/INGAAS更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《高技术通讯》《东南大学学报（自然科学版）》《光电子．激光》《功能材料与器件学报》更多>>; 所获基金：国家高技术研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>

高速AlGaAs/GaAs HBT D-触发器和静态分频器被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2003年第2期183-185,共3页曾庆明徐晓春李献杰敖金平王全树郭建魁刘伟吉揭俊锋; 叙述了高速 Al Ga As/ Ga As HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间都小于 80 ps,静态分频器在 0～; 关键词：A1GaAs/GaAs HBT D-触发器静态分频器异质结双极晶体管铝镓硅三元化合物

单电源供电MSM/HEMT OEIC: 《高技术通讯》2002年第7期1-5,共5页王蓉王志功柯锡明敖金平李献杰刘伟吉; 863计划 ( 86 3 307 15 3 0 5)资助项目; 给出了InGaAsMSM光探测器与InP基InAlAs/InGaAsHEMT两种器件单片集成实现的OEIC光接收机的设计方法与测试结果。该光接收机采用单电源供电 ,由一级放大器、两级源级跟随器和一个反馈电阻组成。当光接收机工作在 2 .5Gbit/s时 ,跨阻可达 ...; 关键词：单电源供电光接收机 InGaAsMSM光探测器 InP基InAlAs/InGaAsHEMT 光电集成电路光纤通信

A 1.25Gb/s InP-Based Vertical Monolithic Integration of an MQW Laser Diode and an HBT Driver witha Lateral Buffer Mes a Structure被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2002年第5期468-472,共5页李献杰曾庆明徐晓春敖金平赵方海杨树人柯锡明王志功刘式墉梁春广; 国家高技术研究发展计划资助项目 (项目编号 :863-30 7-15 -3-0 4)~~; A novel fabrication process related to a smoothly wet chemical etching profile o f InP-based epitaxial layers in the crystal direction of [01for an InP-based monol ithic vertically integrated transmitter with an M...; 关键词：integrated optoelectronics optoelectronic int egrated circuits transmitter

GaAs基InAlAs/InGaAsMHEMT直流特性研究被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2002年第2期235-237,共3页李献杰敖金平曾庆明刘伟吉徐晓春刘式墉梁春广; 报道了用 MBE技术生长的 Ga As基 In Al As/In Ga As改变结构高电子迁移率晶体管 (MHEMT)的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为 0 .8μm的器件 ,最大非本征跨导和饱和电流密度分别为 3 5 0 m S/mm和1 90 m A/mm。源漏击穿电压和栅反...; 关键词：MHEMT 直流特性砷化镓铟铝砷铟镓砷电子迁移率晶体管

1.55μm光发射OEIC技术研究被引量：1: 《半导体光电》2002年第1期23-25,共3页李献杰曾庆明徐晓春刘伟吉敖金平王全树杨树人赵方海柯锡明王志功刘式墉梁春广; 8 6 3国家高科技资助项目 (86 3- 30 7- 15 - 3- 0 4 ); 采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量子阱激光器和InP/InGaAs异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路。在 1.5Gbit/s 2 2 3- 1伪随...; 关键词：光发射光电集成电路 INP

单片集成长波长光接收机被引量：3: 《半导体光电》2002年第1期26-28,共3页敖金平刘伟吉李献杰曾庆明赵永林乔树允徐晓春王全树; 国家 8 6 3高科技资助项目 (86 3- 30 7- 15 - 3- 0 4 ); 介绍了利用InGaAs长波长金属半导体金属 (MSM )光探测器与InAlAs/InGaAs高电子迁移率晶体管 (HEMT)集成来实现长波长单片集成光接收机的材料和电路设计、关键工艺途径等 ,解决了工艺兼容性问题 ,实现了 2 .; 关键词：OEIC 单片集成光接收机

InAlAsInGaAs HEMT跨阻前置放大器的设计与实现被引量：2: 《东南大学学报（自然科学版）》2002年第1期46-49,共4页王蓉王志功柯锡明敖金平李献杰刘伟吉; 国家 8 63计划资助项目 (863 -3 0 7-15 -3 -0 5 ); 提出了基于耗尽型InAlAs InGaAsHEMT器件的光纤通信接收机中的单电源跨阻前置放大器电路 ,并给出了设计方法与实验结果 .该前置放大器采用单电源供电 ,单端输入 ,双端差动输出 ,由两级源级跟随器 ,一级输出级以及一个反馈电阻组成 .当...; 关键词：InAlAs/InGaAsHEMT 光接收机前置放大器工艺光纤通信接收机设计

超低功耗GaAs PHEMT跨阻前置放大器被引量：1: 《光电子．激光》2002年第1期9-11,共3页王蓉王志功柯锡明敖金平李献杰刘伟吉; 国家"8 63"计划光电子主题资助项目 (863 -3 0 7-15 -3 -0 5 ); 本文报导了光纤通信接收机中 Ga As PHEMT工艺前置放大器的设计方法与测试结果。此前置放大器采用单电源供电 ,由 1级放大器、2级源级跟随器和 1个反馈电阻组成。当前置放大器工作在 2 .5Gbit/ s时 ,跨阻可达 6 0 d BΩ。采用 +5 V电源...; 关键词：光接收机 PHEMT工艺砷化镓跨阻前置放大器

AlGaN/GaN HEMT器件研究被引量：6: 《功能材料与器件学报》2000年第3期170-173,共4页曾庆明刘伟吉李献杰赵永林敖金平徐晓春吕长志; 叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz。; 关键词：GAN HEMT ALGAN 制造研制截止频率

InP/InGaAs HBT湿法化学选择腐蚀技术被引量：1: 《功能材料与器件学报》2000年第3期178-181,共4页李献杰曾庆明徐晓春敖金平刘伟吉梁春广; 863"国家高科技项目光电子307主题资助!(课题号:863-307-15-3-04); 用H3PO4：H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAsHBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70，截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.; 关键词：INP INGAAS 选择腐蚀 HBT 湿法刻蚀

敖金平