徐晓春

作品数：2被引量：6H指数：1
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AlGaN/GaN HEMT器件研究被引量：6
《功能材料与器件学报》2000年第3期170-173,共4页曾庆明 刘伟吉 李献杰 赵永林 敖金平 徐晓春 吕长志 
叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz。
关键词：GAN HEMT ALGAN 制造 研制 截止频率 
GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路
《功能材料与器件学报》2000年第3期201-204,共4页曾庆明 徐晓春 刘伟吉 李献杰 敖金平 王全树 郭建魁 赵永林 揭俊锋 
叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。
关键词：GAAS HBT 微波单片集成电路 直接耦合 
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