检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:曾庆明[1] 刘伟吉[1] 李献杰[1] 赵永林[1] 敖金平[1] 徐晓春[1] 吕长志[2]
机构地区:[1]信息产业部电子第十三研究所,石家庄市050051 [2]北京工业大学固态电子学研究所,北京市100022
出 处:《功能材料与器件学报》2000年第3期170-173,共4页Journal of Functional Materials and Devices
摘 要:叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺,给出其测试结果,最大跨导~157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz。The characteristics and fabrication techniques are reported.The peak DC transconductance of about 157 ms/mm is obtained with HP4155A . On- wafer measurements by HP8510B network analyzer show an extrapolated fT of 12GHz and fmax of 24GHz.
关 键 词:GAN HEMT ALGAN 制造 研制 截止频率
分 类 号:TN325.3[电子电信—物理电子学]
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