AlGaN/GaN HEMT器件研究  

Study on AlGaN/GaN HEMT devices

作　　者：曾庆明[1] 刘伟吉[1] 李献杰[1] 赵永林[1] 敖金平[1] 徐晓春[1] 吕长志[2] 

机构地区：[1]信息产业部电子第十三研究所,石家庄市050051 [2]北京工业大学固态电子学研究所,北京市100022

出　　处：《功能材料与器件学报》2000年第3期170-173,共4页Journal of Functional Materials and Devices

摘　　要：叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz。The characteristics and fabrication techniques are reported.The peak DC transconductance of about 157 ms/mm is obtained with HP4155A . On－ wafer measurements by HP8510B network analyzer show an extrapolated fT of 12GHz and fmax of 24GHz.

关 键 词：GAN HEMT ALGAN 制造 研制 截止频率 

分 类 号：TN325.3[电子电信—物理电子学]