AlGaN/GaN HEMT器件研究  被引量:6

Study on AlGaN/GaN HEMT devices

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作  者:曾庆明[1] 刘伟吉[1] 李献杰[1] 赵永林[1] 敖金平[1] 徐晓春[1] 吕长志[2] 

机构地区:[1]信息产业部电子第十三研究所,石家庄市050051 [2]北京工业大学固态电子学研究所,北京市100022

出  处:《功能材料与器件学报》2000年第3期170-173,共4页Journal of Functional Materials and Devices

摘  要:叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺,给出其测试结果,最大跨导~157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz。The characteristics and fabrication techniques are reported.The peak DC transconductance of about 157 ms/mm is obtained with HP4155A . On- wafer measurements by HP8510B network analyzer show an extrapolated fT of 12GHz and fmax of 24GHz.

关 键 词:GAN HEMT ALGAN 制造 研制 截止频率 

分 类 号:TN325.3[电子电信—物理电子学]

 

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