GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路  

Design and performance of GaAs HBTs monolithic microwave amplifier

作　　者：曾庆明[1] 徐晓春[1] 刘伟吉[1] 李献杰[1] 敖金平[1] 王全树[1] 郭建魁[1] 赵永林[1] 揭俊锋[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第十三研究所专用集成电路国家重点实验室,石家庄050051

出　　处：《功能材料与器件学报》2000年第3期201-204,共4页Journal of Functional Materials and Devices

摘　　要：叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。The design,fabrication and performance of direct coupled AlGaAs HBTs monolithic microwave amplifiers were described, which involved 3GHz cascadable amplifier, 2.5Gb/s and 10Gb/s transimpedance amplifier.

关 键 词：GAAS HBT 微波单片集成电路 直接耦合 

分 类 号：TN454[电子电信—微电子学与固体电子学]